Author Affiliations
Abstract
1 Department of Electronic Engineering, School of Electronic Science and Engineering (National Model Microelectronics College), Xiamen University, Xiamen 361005, China
2 Surface Physics Laboratory, Department of Physics, Fudan University, Shanghai 200433, China
3 School of Physical Science and Technology, Guangxi University, Nanning 530004, China
In this paper, we report the exciton polaritons in both positive and negative detuning micro cavities based on InGaN multi-quantum wells (MQWs) and the first polariton lasing in InGaN/GaN MQWs at room temperature by utilizing a 4.5λ Fabry-Perot (F-P) cavity with double dielectric distributed Bragg reflectors (DBRs). Double thresholds corresponding respectively to polariton lasing and photonic lasing are observed along with half-width narrowing and peak blue-shifts. The threshold of polariton lasing is about half of the threshold of photonic lasing. Our results paved a substantial way for ultra-low threshold lasers and room temperature Bose-Einstein Condensate (BEC) in nitride semiconductors.
exciton-polariton polariton lasing InGaN QWs Opto-Electronic Advances
2019, 2(12): 12190014
广西大学物理科学与工程技术学院,南宁 530004
采用背向散射偏振配置,对半极性a面(1120)生长的4H-SiC晶体,测量了激发光偏振方向与光轴成不同角度时各声子振动的偏振拉曼散射光谱,研究了不同声子模式的偏振拉曼散射光的强度变化与性质。利用拉曼选择定则,对实验结果进行拟合分析得到了不同声子模式的拉曼散射矩阵张量元系数及其各向异性特征。研究结果为深入了解4H-SiC晶体的微观结构和各向异性性质提供依据。
碳化硅 偏振拉曼散射 张量元 各向异性 SiC polarized Raman scattering tensor elements anisotropy
1 四川大学原子与分子物理研究所,成都 610065
2 广西大学物理科学与工程技术学院,南宁 530004
3 四川大学物理与科学技术学院,成都 610065
4 四川大学高能量密度物理与技术教育部重点实验室,成都 610065
本工作通过高压固相复分解反应(HPSSM)合成块体Re3N。利用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能量色散X射线分析(EDS)对高压样品进行结构表征与元素成分确定,结果表明利用HPSSM法合成的Re3N具有较高的晶体质量。在77 K到873 K温度范围内利用拉曼散射研究Re3N的晶格振动特性。基于三(四)声子耦合模型,研究Re3N拉曼声子模频率的红移和拉曼峰的宽化现象,结果表明高温条件下Re3N拉曼散射效应中三声子耦合过程占主导。高压同步辐射研究表明Re3N具有很高的体弹模量(B0=417 GPa),是一种潜在的超硬材料。
5d金属氮化物 拉曼散射 高压同步辐射 5d metal nitrides Raman scattering high-pressure synchrotron radiation
本文研究具有掩蔽和选择性热氧化(MSTO）结构条形GaAs-Ga1-xAlxAsDH激光器的偏振特性,发现这类器件同时输出强度相近、相位无关的TE和TM模,不同于通常的半导体激光器主要是TE模输出的情况。本文从激光器有源区内应力分布和光弹性效应的观点,对此异常的偏振特性作出了定性解释。
本文计算了掩蔽与选择性热氧化GaAs-GaAlAs多层结构中的应力与光弹性效应.提出介质洛埃镜干涉法,直接观测了GaAs上掩蔽生长热氧化膜引起的应力-光弹性效应的折射率分布,测量结果在定性和数量级上与理论计算一致.本文也扼要介绍了应力和光弹性效应对半导体激光器特性的影响及应用于集成光学的可能性.
